存儲(chǔ)器市場(chǎng)缺貨潮持續(xù)發(fā)酵且范圍不斷擴(kuò)大，供應(yīng)鏈端消息顯示，國(guó)際存儲(chǔ)原廠正加速將產(chǎn)能向服務(wù)器市場(chǎng)傾斜，消費(fèi)電子、汽車(chē)等相關(guān)應(yīng)用市場(chǎng)由此成為受影響的主要領(lǐng)域。有消息透露，武漢一家本土　ＮＡＮＤ　閃存廠商計(jì)劃調(diào)整產(chǎn)能布局，將５０％的產(chǎn)能轉(zhuǎn)向ＤＲＡＭ內(nèi)存芯片制造；同時(shí)該企業(yè)還將與國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)封測(cè)企業(yè)展開(kāi)合作，針對(duì)人工智能計(jì)算場(chǎng)景，聯(lián)合研發(fā)并生產(chǎn)高帶寬內(nèi)存（ＨＢＭ）產(chǎn)品。

多位半導(dǎo)體制造領(lǐng)域?qū)＜壹靶袠I(yè)分析師對(duì)此表示，ＤＲＡＭ與ＮＡＮＤ閃存在底層物理架構(gòu)、制造工藝以及資本投入規(guī)模上存在顯著差異，這家廠商此番跨品類(lèi)布局的舉措，實(shí)質(zhì)上相當(dāng)于從零起步攻堅(jiān)ＤＲＡＭ技術(shù)。作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中技術(shù)壁壘最高、研發(fā)難度最大的芯片品類(lèi)之一，ＤＲＡＭ內(nèi)存芯片的研發(fā)制造難度并不亞于ＣＰＵ、ＧＰＵ等邏輯芯片?；仡櫞鎯?chǔ)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展歷程，三星、美光、ＳＫ海力士這三大存儲(chǔ)巨頭，均是先在ＤＲＡＭ領(lǐng)域建立起絕對(duì)的技術(shù)統(tǒng)治地位，再憑借技術(shù)優(yōu)勢(shì)“降維”切入?。危粒危摹￠W存市場(chǎng)。

這種　“先攻克ＤＲＡＭ，再布局ＮＡＮＤ”的發(fā)展路徑并非偶然，而是行業(yè)技術(shù)規(guī)律的體現(xiàn)。業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為，ＤＲＡＭ在技術(shù)要求、工藝精度等方面的標(biāo)準(zhǔn)遠(yuǎn)高于ＮＡＮＤ閃存，掌握高階ＤＲＡＭ技術(shù)后向下布局ＮＡＮＤ　閃存，屬于順理成章的業(yè)務(wù)拓展；而反觀純ＮＡＮＤ閃存廠商逆向突破ＤＲＡＭ技術(shù)壁壘的嘗試，在整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展史上，至今尚無(wú)成功的案例可循。

ＮＡＮＤ與ＤＲＡＭ技術(shù)壁壘懸殊　產(chǎn)線轉(zhuǎn)換近乎新建工廠

盡管ＮＡＮＤ與ＤＲＡＭ同屬存儲(chǔ)芯片，但產(chǎn)品功能與工作原理截然不同：?。模遥粒蛯儆趦?nèi)存，與ＣＰＵ等計(jì)算單元直接連接、直接傳輸ＣＰＵ所需的數(shù)據(jù)，用于臨時(shí)存儲(chǔ)，屬于易失性存儲(chǔ)，即斷電后數(shù)據(jù)丟失；?。危粒危膶儆谕獯?，不與ＣＰＵ直連，主要用于長(zhǎng)期存儲(chǔ)大量文件，屬于非易失性存儲(chǔ)。　由于在計(jì)算體系中ＤＲＡＭ里核心的ＣＰＵ更近，因此性能要求也更高：ＤＲＡＭ的讀寫(xiě)速度大約是ＮＡＮＤ的３０００倍，其單位單價(jià)也比ＮＡＮＤ更高。

在當(dāng)前的摩爾定律節(jié)點(diǎn)上，兩者的技術(shù)演進(jìn)路線已發(fā)生本質(zhì)分歧。ＮＡＮＤ走向垂直堆疊，核心挑戰(zhàn)在于如何垂直堆疊更多的層數(shù)（如２３２層或更高），類(lèi)似于建筑工程中的摩天大樓建設(shè)?！。模遥粒妥呦蛭⒖s，ＤＲＡＭ的演進(jìn)仍主要依靠光刻技術(shù)，其核心挑戰(zhàn)在于如何在極微小的電容器中保持電荷，類(lèi)似于在一顆大米上雕出《清明上河圖》。

這意味著，現(xiàn)有的ＮＡＮＤ生產(chǎn)線無(wú)法簡(jiǎn)單地通過(guò)“軟件升級(jí)”或“部分改造”來(lái)生產(chǎn)ＤＲＡＭ。行業(yè)數(shù)據(jù)顯示，兩條產(chǎn)線的設(shè)備通用性可能低于５０％。將一家ＮＡＮＤ晶圓廠轉(zhuǎn)換為ＤＲＡＭ工廠，在資本支出效率上極不劃算，幾乎等同于新建。

ＤＲＡＭ新玩家難跨技術(shù)與商業(yè)兩道坎

針對(duì)傳聞中提到的“工程樣品”，專(zhuān)業(yè)分析師警告稱(chēng)，不應(yīng)過(guò)度解讀樣品的意義。

在半導(dǎo)體行業(yè)，“實(shí)驗(yàn)室樣品”與“商業(yè)量產(chǎn)”之間存在巨大的鴻溝，通常被稱(chēng)為“良率死亡之谷”。ＤＲＡＭ作為一種對(duì)缺陷密度極度敏感的器件，其良率爬坡周期通常長(zhǎng)達(dá)數(shù)年。

此外，目前的ＤＲＡＭ市場(chǎng)是一個(gè)高度成熟的寡頭壟斷市場(chǎng)（Ｏｌｉｇｏｐｏｌｙ）。對(duì)于新進(jìn)入者而言，最大的風(fēng)險(xiǎn)不僅在于技術(shù)，更在于商業(yè)邏輯：用ＮＡＮＤ業(yè)務(wù)相對(duì)較薄的利潤(rùn)率，去支撐ＤＲＡＭ研發(fā)所需的高昂現(xiàn)金流消耗，這在財(cái)務(wù)模型上被視為高風(fēng)險(xiǎn)策略?！‰m然全球供應(yīng)鏈多元化的需求日益迫切，但半導(dǎo)體制造的物理規(guī)律不會(huì)因此改變。

當(dāng)下ＤＲＡＭ領(lǐng)域的工藝體系層層遞進(jìn)，專(zhuān)利壁壘更是構(gòu)筑起堅(jiān)實(shí)防線，市場(chǎng)流傳的相關(guān)傳聞，顯然低估了從ＮＡＮＤ領(lǐng)域跨向ＤＲＡＭ賽道所需的深層工程積淀與技術(shù)攻堅(jiān)力度。對(duì)于資本市場(chǎng)的投資者和產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的觀察者而言，清晰甄別企業(yè)在ＤＲＡＭ領(lǐng)域的早期實(shí)驗(yàn)性探索與具備實(shí)際落地性的產(chǎn)能轉(zhuǎn)移，是做出客觀判斷的關(guān)鍵所在。半導(dǎo)體行業(yè)本就是高度專(zhuān)業(yè)、分工精細(xì)的賽道，深耕核心領(lǐng)域、鍛造專(zhuān)屬技術(shù)壁壘的專(zhuān)業(yè)能力，依舊是衡量企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的核心標(biāo)尺，所謂的跨界布局，終究繞不開(kāi)“術(shù)業(yè)有專(zhuān)攻”的行業(yè)本質(zhì)。