11月27日，在集邦咨詢旗下DRAMeXchange主辦的“2020存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)峰會(huì)”上，紫光存儲(chǔ)不僅將展出全系列的閃存產(chǎn)品，還將攜手西安紫光國(guó)芯帶來(lái)備受關(guān)注的內(nèi)存產(chǎn)品，全面展示NAND FLASH+DRAM的豐富產(chǎn)品線。

令人矚目的是，西安紫光國(guó)芯研發(fā)設(shè)計(jì)的第四代內(nèi)存DDR4 DRAM將在此次峰會(huì)上與公眾見(jiàn)面。

西安紫光國(guó)芯將展出從顆粒到模組全系列的內(nèi)存產(chǎn)品，包括DDR、DDR2、DDR3、DDR4、LPDDR4 DRAM顆粒，SO-DIMM、U-DIMM、R-DIMM、NVDIMM模組產(chǎn)品，和世界首款商用內(nèi)嵌自糾錯(cuò)DRAM，即ECC DRAM產(chǎn)品。

圖1 西安紫光國(guó)芯的DDR4 DRAM顆粒

圖2 西安紫光國(guó)芯的LPDDR4顆粒

圖3 西安紫光國(guó)芯的DDR3 ECC DRAM顆粒

圖4 西安紫光國(guó)芯的SO-DIMM內(nèi)存模組

圖5 西安紫光國(guó)芯的U-DIMM內(nèi)存模組

圖6 西安紫光國(guó)芯的R-DIMM內(nèi)存模組

圖7 西安紫光國(guó)芯的NVDIMM內(nèi)存模組

西安紫光國(guó)芯一直專(zhuān)注于存儲(chǔ)器領(lǐng)域，尤其是DRAM存儲(chǔ)器的研發(fā)和技術(shù)積累。該公司在DRAM產(chǎn)品定義、設(shè)計(jì)、測(cè)試、量產(chǎn)和銷(xiāo)售上建立了完整成熟的體系，累計(jì)二十余款芯片產(chǎn)品和四十余款模組產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)了全球的量產(chǎn)和銷(xiāo)售。