國(guó)外媒體報(bào)道，F(xiàn)loadia 公司通過(guò)設(shè)計(jì)存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)和控制方法，開(kāi)發(fā)了一種原型 7 位/單元的閃存芯片，可以在 150 °C下保留模擬數(shù)據(jù)十年。

初創(chuàng)公司 Floadia 開(kāi)發(fā)了每單元 7 位閃存芯片原型，在 150°C 下可保留模擬數(shù)據(jù) 10 年

現(xiàn)有的存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)，由于電荷泄漏引起的特性變化和變異問(wèn)題很明顯，數(shù)據(jù)保持時(shí)間只有100s左右。

該公司將把內(nèi)存技術(shù)應(yīng)用到芯片上，以極低的功耗實(shí)現(xiàn)人工智能推理操作。該芯片基于稱為內(nèi)存計(jì)算 (CiM) 的架構(gòu)，該架構(gòu)將神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)權(quán)重存儲(chǔ)在非易失性存儲(chǔ)器中，并通過(guò)讓電流通過(guò)存儲(chǔ)器陣列并行執(zhí)行大量乘法累加計(jì)算。CiM 作為邊緣計(jì)算環(huán)境的 AI 加速器備受關(guān)注，因?yàn)樗梢詮膬?nèi)存中讀取大量數(shù)據(jù)，并且比在 CPU 和 GPU 上執(zhí)行乘法累加計(jì)算的傳統(tǒng) AI 加速器消耗更少的功率。

該存儲(chǔ)技術(shù)基于該公司開(kāi)發(fā)的 SONOS 型閃存芯片，用于集成到微控制器和其他設(shè)備中。該公司進(jìn)行了創(chuàng)新，例如優(yōu)化電荷捕獲層（即ONO 薄膜）的結(jié)構(gòu)，以延長(zhǎng)存儲(chǔ)7 位數(shù)據(jù)時(shí)的數(shù)據(jù)保留時(shí)間。2個(gè)cell的組合最多可以存儲(chǔ)8位的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)權(quán)重，盡管芯片面積很小，但可以實(shí)現(xiàn)300TOPS/W的乘累加計(jì)算性能，超過(guò)現(xiàn)有AI加速器。