DRAM跌價與新制程開發(fā)，華邦電2019年第4季盈轉(zhuǎn)虧
存儲器大廠華邦電7日召開法說，并公布2019年第4季及2019年全年財報。華邦電指出，受到DRAM價格下滑的影響，另外還有本身25納米新制程開發(fā)成本高等因素的加乘下，2019年第4季單季營運
DRAM
三星宣布推出HBM Flashbolt DRAM 2020年中投產(chǎn)
韓國存儲器大廠三星宣布，4日正式推出Flashbolt的HBM（高寬帶）DRAM。這是第3代HBM技術(shù)，未來將用于超級計算機(jī)、GPU和各種AI應(yīng)用所需的高性能計算。三星先前發(fā)表上一代HBM Aquabolt DRAM后一
存儲器價格兩樣情，NAND漲勢更勝DRAM
盡管目前市場擔(dān)心武漢冠狀病毒疫情將影響今年首季行情，但業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為存儲器價格漲勢仍然可期。咨詢機(jī)構(gòu)集邦科技指出，盡管目前疫情正嚴(yán)重，位于中國境內(nèi)的DRAM與NAND Flash存儲器
打造國內(nèi)最大高端DRAM測試裝備研發(fā)中心 深圳再添芯動力
1月18日，深圳航天科創(chuàng)公司與DRAM測試服務(wù)企業(yè)深圳皇虎、智能制造高新技術(shù)企業(yè)光彩凱宜在深圳航天大廈舉行了共建航天DRAM測試裝備研發(fā)中心及測試服務(wù)中心項目簽約儀式。為把握國內(nèi)
南亞科李培瑛：已成功自主研發(fā)10納米級DRAM新型存儲器技術(shù)
針對南亞科自行新研發(fā)出10納米級制程的未來發(fā)展方向，李培瑛則是表示，南亞科成功開發(fā)出10納米級DRAM新型存儲器生產(chǎn)技術(shù)，DRAM產(chǎn)品可持續(xù)微縮至少3個世代，未來進(jìn)入10納米制程技術(shù)