上海貝嶺收購華大半導體控股公司

日前，上海貝嶺發(fā)布公告，宣布擬以現金支付方式收購南京微盟電子有限公司（以下簡稱“南京微盟”）股東持有的100%股權。

根據評估報告，南京微盟截至2019年6月30日的全部股東權益價值估值為3.6億元，較賬面凈資產1.03億元溢價249.51%。經協(xié)商，本次南京微盟100%股權作價初步確定為3.6億元（且不低于后續(xù)經國資監(jiān)管部門備案的評估結果）。

華大半導體持有南京微盟41.33%股權，是南京微盟的第一大股東和控股股東，同時，華大半導體亦為上海貝嶺的第一大股東和控股股東，上海貝嶺董事馬玉川亦擔任南京微盟的董事、董事長職務，本次交易構成關聯交易。

資料顯示，南京微盟成立于1999年，前身為南京國投熊貓微電子有限公司，專注于高性能、高品質模擬集成電路和數?；旌霞呻娐吩O計及銷售。這次收購南京微盟，上海貝嶺認為將可在業(yè)務上與公司協(xié)同發(fā)展，同時解決控股股東華大半導體前期曾承諾消除同業(yè)競爭問題。

華為擬18億元擴建武漢海思光工廠

近日，武漢市國土資源和規(guī)劃局對華為技術有限公司武漢研發(fā)生產項目（二期）A地塊-海思光工廠項目規(guī)劃設計方案調整進行批前公示。

公示資料顯示，該項目原方案僅有1棟廠房，調整后的方案有7棟建筑物，分別為軟件工廠、生產廠房1、動力站、倉庫1、倉庫2、倉庫3、以及氫氣供應站。此外，二期項目建筑占地面積也進行了大幅增加，由5905.53㎡調整為42682.19㎡；建筑面積也隨之增加，由11836.59㎡調整為179731.72㎡。項目總投資18億元。

根據華為在此前在其募集說明書透露的信息顯示。截至2019年6月底，華為披露的在建工程達5項，包括貴安華為云數據中心項目、華為崗頭人才公寓項目、蘇州研發(fā)項目、華為松山湖終端項目二期和松山湖華為培訓學院，擬建項目則有上海青浦研發(fā)、武漢海思工廠，總投資分別為109.85億元和18億元。

芯源微、華特股份科創(chuàng)板IPO過會

科創(chuàng)板的申請、審核等相關工作仍在火熱進行中，在過去這一周，沈陽芯源微電子設備股份有限公司（以下簡稱“芯源微”）、廣東華特氣體股份有限公司（以下簡稱“華特股份”）兩家半導體相關企業(yè)相繼過會。

10月21日，上交所科創(chuàng)板上市委員會召開了2019年第35次審議會議，審議結果顯示，芯源微首發(fā)通過。芯源微成立于2002年，是由中科院沈陽自動化研究所發(fā)起創(chuàng)建的國家高新技術企業(yè)，目前主要從事半導體專用設備的研發(fā)、生產和銷售。

10月23日，上交所披露科創(chuàng)板上市委2019年第36次審議會議結果公告，特種氣體供應商華特股份首發(fā)通過。華特股份成立于1999年，2017年曾于新三板掛牌上市，2018年4月終止掛牌，其主營業(yè)務以特種氣體的研發(fā)、生產及銷售為核心，輔以普通工業(yè)氣體和相關氣體設備與工程業(yè)務。

新華三服務器將采用長江存儲閃存

近日，紫光旗下新華三集團正式攜手長江存儲，整合中國頂尖的存儲芯片資源，成功地將3D NAND芯片產品融入服務器產品之中。新華三表示，此次與長江存儲攜手，將長江存儲閃存引入服務器產品線，將在應用實踐中加速中國存儲芯片與服務器的融合發(fā)展，進一步推動計算產品和架構的迭代。

長江存儲成立于2016年7月，2017年成功研發(fā)了中國首顆擁有自主知識產權的32層MLC 3D NAND閃存芯片，該芯片目前已通過企業(yè)級驗證并進行小規(guī)模的批量生產，主要應用在U盤、SD卡、機頂盒及固態(tài)硬盤等領域。隨后，長江存儲又推出了第二代具備完全自主知識產權的64層256Gb TLC 3D NAND閃存，將廣泛應用在智能手機、個人電腦、服務器等領域。

據了解，長江存儲64層三維閃存既是全球首款基于Xtacking架構設計并實現量產的閃存產品。新華三指出，長江存儲未來還將推出Xtacking 2.0創(chuàng)新架構，將應用在長江存儲第三代3D NAND閃存產品中，會廣泛應用于數據中心、企業(yè)級服務器、個人電腦和移動設備等領域。

SK海力士將調整存儲器產品生產比重

10月24日，SK海力士宣布截止2019年9月30日的2019年第三季度財務報告。第三季度SK海力士營收達6.84萬億韓元，營業(yè)利潤4726億韓元，凈利潤為4955億韓元，營業(yè)利潤率與凈利潤率均為7%。第三季度SK海力士收入環(huán)比增長6%，營業(yè)利潤環(huán)比下降26%。

SK海力士指出，公司正在將利川M10廠的一部分生產線轉換為批量生產CMOS圖像傳感器(CIS)的生產線，同時減少2D NAND閃存的生產量。因此，與去年相比，明年的DRAM和NAND閃存的生產量預計將減少，與今年相比，明年的投資額也將相當減少。

此外，SK海力士作出以下調整：計劃將第二代10納米(1Y)DRAM的生產比重到明年末提高至略超10%，并計劃對最近開發(fā)的第三代10納米(1Z)工程的產品進行批量生產；將把96層4D NAND閃存產品的生產比重到年末擴大到15%以上，并推進128層4D NAND閃存的批量生產和銷售準備；將重點攻略高配置智能手機和SSD市場，預計其NAND閃存銷售額中SSD所占的比重在第四季度將增加到30%。

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