逆技術(shù)路徑而行 國產(chǎn)NAND廠商入局DRAM前路艱阻
該企業(yè)還將與國內(nèi)存儲封測企業(yè)展開合作，針對人工智能計算場景，聯(lián)合研發(fā)并生產(chǎn)高帶寬內(nèi)存（ＨＢＭ）產(chǎn)品。
NAND
存儲漲價沖擊下，邏輯代工探尋新支點：中低層NAND成“跨界”起點
目前3D NAND單顆芯片容量1Tb起步，2D SLC和MLC容量覆蓋從數(shù)百Mb到數(shù)十Gb，數(shù)十Gb-1Tb容量點需要中低層數(shù)3D NAND（<128層）覆蓋。
高墻難越：NAND廠商踏足DRAM為什么是不可能的課題？
國產(chǎn)廠商這幾年在DRAM領(lǐng)域已經(jīng)取得了長足的進步，大有與國際頭部廠商“并跑”之勢，并快速實現(xiàn)了DDR和LPDDR品類多個國產(chǎn)零的突破，NAND領(lǐng)域也緊隨其后不斷挑戰(zhàn)堆疊工藝新高度。