DRAM“賣方市場(chǎng)”持續(xù)升溫，長(zhǎng)鑫科技LPDDR5X迎高端市場(chǎng)機(jī)遇
長(zhǎng)鑫科技已發(fā)布IPO輔導(dǎo)工作完成報(bào)告，上市進(jìn)程邁出關(guān)鍵一步。
DRAM
AI激戰(zhàn)正酣，DRAM內(nèi)存芯片卡住了GPU的“脖子”
全球主要的DRAM制造商包括SK海力士、三星、美光和中國(guó)的長(zhǎng)鑫科技，長(zhǎng)鑫科技也是中國(guó)唯一一家具備大規(guī)模量產(chǎn)DRAM能力的企業(yè)。
IEDM論文印證技術(shù)實(shí)力，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)引領(lǐng)國(guó)產(chǎn)DRAM破局
。利用鐵電薄膜在側(cè)壁上構(gòu)建的高密度多比特存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)能夠高效地對(duì)大規(guī)模Q矩陣進(jìn)行一次性緩存。
AI浪潮下的存儲(chǔ)革命：為什么DRAM能從“幕后”走到了“臺(tái)前”？
DRAM與AI算力形成深度綁定。其高階形態(tài)HBM通過(guò)3D堆疊與存算一體架構(gòu)，有效突破“存儲(chǔ)墻”，成為AI算力基礎(chǔ)設(shè)施不可或缺的基石。
預(yù)估四季度DRAM及NAND Flash合約價(jià)均上漲，漲勢(shì)或?qū)⒀永m(xù)至明年第一季
華為Mate 60系列等也刺激其他中國(guó)智能手機(jī)品牌擴(kuò)大生產(chǎn)目標(biāo)，短時(shí)間內(nèi)涌入的需求也成為推動(dòng)第四季的合約價(jià)漲勢(shì)的原因之一。