臺(tái)積電
臺(tái)積電“追加1000億美元投資”,被美政府以“違反DEI條款”威逼
臺(tái)積電之所以在原有650億美元基礎(chǔ)上追加1000億美元投資、將對美總投資提升至1650億美元,若追加1000億美元投資,所有DEI義務(wù)“一筆勾銷”。
臺(tái)積電重申:目前公司產(chǎn)品并不需要高數(shù)值孔徑的EUV光刻機(jī)
臺(tái)積電的下一代工藝技術(shù),包括A16(1.6納米級(jí))和A14(1.4納米級(jí))工藝技術(shù),不需要這些最高端的光刻系統(tǒng)。
臺(tái)積電美國工廠虧損超32億,仍加速三廠建設(shè),力推更先進(jìn)制程技術(shù)
臺(tái)積電在亞利桑那州的第一座晶圓廠已經(jīng)在去年第四季度開始采用4nm制程技術(shù)進(jìn)行生產(chǎn)。
美方據(jù)報(bào)要求臺(tái)積電對7納米AI芯片實(shí)施出口限制,商務(wù)部回應(yīng)
美方不斷濫用出口管制措施、實(shí)施長臂管轄,持續(xù)加嚴(yán)對華半導(dǎo)體打壓遏制,割裂全球半導(dǎo)體市場,這是對國際經(jīng)貿(mào)規(guī)則的嚴(yán)重破壞,對自由貿(mào)易的粗暴干涉,是典型的非市場做法。




